[发明专利]晶圆堆叠结构及其制作方法与晶圆的制作方法无效
| 申请号： | 201310625068.4 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103887226A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王宠智;林哲歆;顾子琨 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L25/10;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆堆叠结构及其制作方法与晶圆的制作方法。晶圆堆叠结构的制作方法包括：于一第一晶圆中形成一第一穿硅导孔开口；于第一穿硅导孔开口中填入一第一导电材料以形成一第一穿硅导孔填充部，其中第一穿硅导孔填充部具有一凹槽；于一第二晶圆中形成一第二穿硅导孔开口；于第二穿硅导孔开口中填入一第二导电材料，以形成一第二穿硅导孔填充部，其中第二穿硅导孔填充部具有一凸起结构；以及堆叠第一晶圆与第二晶圆，其中凸起结构插入凹槽中，且第一穿硅导孔填充部电性连接第二穿硅导孔填充部。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆堆叠结构的制作方法，其特征在于，包括：于一第一晶圆中形成一第一穿硅导孔开口；于该第一穿硅导孔开口中填入一第一导电材料以形成一第一穿硅导孔填充部，其中该第一穿硅导孔填充部具有一凹槽；于一第二晶圆中形成一第二穿硅导孔开口；于该第二穿硅导孔开口中填入一第二导电材料，以形成一第二穿硅导孔填充部，其中该第二穿硅导孔填充部具有一凸起结构；以及堆叠该第一晶圆与该第二晶圆，其中该凸起结构插入该凹槽中，且该第一穿硅导孔填充部电性连接该第二穿硅导孔填充部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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