[发明专利]分割晶圆的方法以及集成电路晶圆

摘要

本发明提出了一种用于将晶圆分割成多个单个集成电路的方法。在晶圆的正面上沿着各个切片槽，在一层或多层金属化层中形成有沟道。切片槽位于多个IC之间，并且在金属化层的正面和硅衬底的背面之间延伸。将衬底的背面减薄，并且经由衬底的背面施加激光脉冲，以沿着切片槽改变硅衬底的晶体结构。硅衬底中的多个部分和沟道被配置成在拉伸IC晶圆期间使裂缝沿着切片槽在硅衬底中扩展。这些沟道帮助减少了在拉伸IC晶圆期间裂缝在金属化层中在切片槽之外扩展。

主权项

一种分割晶圆的方法，该晶圆具有硅衬底和位于硅衬底正面上的金属化层，其特征在于，该方法包括：在金属化层中沿着各个切片槽形成沟道，各个切片槽位于金属化层中的多个集成电路之间，并且在金属化层的正面和硅衬底的背面之间延伸；将硅衬底的背面减薄；在将硅衬底的背面减薄之后，通过经由硅衬底的背面施加激光来改变部分硅衬底的晶体结构，这部分硅衬底位于切片槽中，并且偏离硅衬底的背面和金属化层；以及通过拉伸硅衬底同时利用改变的晶体结构和沟道来沿着切片槽分割集成电路，其中使裂纹在硅衬底中沿着切片槽扩展，以及减少硅衬底和金属化层在切片槽之外断裂。