[发明专利]具有可变电阻层的电阻式随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供电阻式存储器件，该电阻式存储器件包括：栅叠层，包括在竖直方向上层叠在基板上的模制绝缘层和栅极；沟道，在竖直方向上穿透栅叠层以电连接到基板；栅绝缘层，提供在沟道和栅极之间；以及沿着沟道的延伸方向设置的可变电阻层。栅叠层可以包括通过使栅极在水平方向上凹入而形成的凹穴。可变电阻层可以朝向凹穴在水平方向延伸并且与栅极中的至少一个在水平方向上重叠。还提供了相关的方法。

主权项

一种电阻式存储器件，包括：栅叠层，包括竖直地层叠在基板上的模制绝缘层和栅极；沟道，在竖直方向上穿透所述栅叠层并且电连接到所述基板；栅绝缘层，提供在所述沟道和所述栅极之间；以及在所述沟道上的可变电阻层，其中所述栅叠层中的所述栅极限定凹穴，所述凹穴通过使所述栅极在水平方向上凹入而形成；以及其中所述可变电阻层朝向所述凹穴在所述水平方向延伸并且与所述栅极中的至少一个在所述水平方向上重叠。