[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其形成方法。在单晶掩埋绝缘体层上形成单晶半导体鳍片。在形成跨骑所述单晶半导体鳍片的栅极电极之后，可以用在单晶掩埋绝缘体层上生长的半导体材料进行选择性外延以形成连续半导体材料部分。所述连续半导体材料部分中的沉积的半导体材料的厚度可以被选择为使得，所述沉积的半导体材料部分的侧壁不合并，而是通过直接在所述单晶掩埋绝缘体层的水平表面上生长的沉积的半导体材料的水平部分导电地彼此连接。通过所述连续半导体材料部分和圆柱形接触过孔结构，可以提供鳍片场效应晶体管的接触电阻和寄生电容的同时减小。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：在单晶电介质层上形成至少一个半导体材料部分；形成跨骑所述至少一个半导体材料部分的栅极电极；以及通过与所述单晶电介质层外延对准地沉积半导体材料，直接在所述至少一个半导体材料部分中的每一个的端部子部分上形成连续单晶半导体部分。