[发明专利]一种多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法

摘要

本发明公开了一种多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法。目前，灭磁电阻是否符合要求都是简单的以厂家出厂标识为准，无完善、科学的基于实际试验数据的能容量评估方法。本发明采用单组件80%能量注入下的实测红外成像温度数据、多组件并联情况下的单组件能量占比、制造厂提供的理论设计参数，并通过定义“散热反系数”的方法来考虑热量传导、热量散失等不可测物理过程，综合计算评估由多个单组件并联组成的整套SiC灭磁电阻实际可用能容量。本发明解决了SiC非线性灭磁电阻整组能容量的计算问题，提高了计算的准确性，间接的提高了发电机、励磁系统等电力系统设备的安全、可靠运行水平。

主权项

一种多个单组件SiC灭磁电阻并联后能容量计算方法，其步骤如下：1)选择需要进行实际可用能容量计算的由多个单组件SiC灭磁电阻并联组成的多组件，根据该类型单组件SiC灭磁电阻的设计参数，获取所述单组件的标称额定能容量、设计温度上限值和给定注入能容量下的理论温升；2)通过控制电压和电流并实时计算功率积分的方式，向单组件注入80%标称额定能容量，使其吸收能量后温度上升；再使用红外成像仪监测单组件表面温度上升过程达到顶值时，进行三向红外成像，保证单组件表面测温的全面性和同时性，根据三向红外成像数据和测试前的单组件初始表面温度，计算单组件表面温度的平均温升、最高温升和均温系数；3)根据单组件的设计参数、均温系数和运行环境温度计算单组件实际允许注入能量限值；4)多组件的能量注入均能试验：多组件注入设定的能量，再基于各个单组件能量注入过程中的电压、电流计算相应单组件实际吸收的能量数据，计算各个单组件吸收的能量在多组件吸收的总能量中的占比，即吸收能量占比；5)根据单组件的实际允许注入能量限值和该单组件在多组件能量注入均能试验中的吸收能量占比，来计算由该单组件能量限值决定的整组总允许吸收能量值，再取各单组件决定的整组总允许吸收能量值的最小值作为多组件可用能容量；6)根据单组件80%能量注入试验的实际温升、实际注入能量和标注额定能容量下理论温升计算散热反系数，并采用散热反系数对多组件可用能容量进行修正，得到多组件实际可用能容量；所述的散热反系数=单组件80%能量注入试验实际温升能量比/多组件理论温升能量比，多组件实际可用能容量=多组件可用能容量×散热反系数。