[发明专利]一种三氧化钨纳米片及掺杂三氧化钨纳米片气体传感器无效

专利信息
申请号: 201310626670.X 申请日: 2013-12-02
公开(公告)号: CN103626233A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 顾刚;曾凡焱;刘晓山 申请(专利权)人: 江西师范大学
主分类号: C01G41/02 分类号: C01G41/02;G01N33/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 330000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明涉及一种三氧化钨纳米片及掺杂三氧化钨纳米片气体传感器。三氧化钨纳米片的制备方法为:以钨酸(WO3·xH2O)为原材料,将钨酸和醇胺反应得到醇胺插层钨酸的层状化合物,经浓硝酸氧化除去醇胺和热处理可得三氧化钨纳米片。本发明制备过程简单易行、对设备要求低,并以微米或毫米尺寸的钨酸为原材料,实现了大批量稳定生产和显著降低三氧化钨纳米片制备成本的目的。本发明还将微量贵金属掺入三氧化钨纳米片,得到对硫化氢等气体具有快速响应能力的气体传感器。
搜索关键词: 一种 氧化钨 纳米 掺杂 气体 传感器
【主权项】:
一种可批量制备的三氧化钨纳米片,其特征在于:以钨酸WO3·xH2O为原材料制备三氧化钨纳米片,所述WO3 ·xH2O中的x=1或2,将钨酸和醇胺的乙醇混合液反应,得到醇胺插层钨酸的层状化合物,所述钨酸、醇胺、乙醇的摩尔比为1:(10‑40):(20‑80),经摩尔浓度为1‑10 M的硝酸氧化除去醇胺得到钨酸纳米片,所得纳米片以1‑5 °C/min加热速率升温至250‑600 °C,恒温1‑5 h后,冷却至室温,可得三氧化钨纳米片。
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