[发明专利]一种半导体处理装置及应用于半导体处理装置的气体分布板在审
| 申请号： | 201310627145.X | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104674190A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 杜志游 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体处理装置，包括：反应腔，反应腔内包括一个沿旋转轴旋转的基座，基座上设置有待处理基片；一个供气系统包括一个气体分布腔和一个分流器，分流器接收来自气源的反应气体并通过第一输出端和第二输出端输出第一和第二处理气体到所述气体分布腔内；气体分布腔下表面包括多个通气孔联通到气体分布腔将反应气体供应到所述基片；所述气体分布腔内还包括一个隔离壁将所述气体分布腔分隔成中心腔和环绕所述中心腔的外围腔，所述中心腔与所述第一输出端相联通接收第一处理气体，外围腔与所述第二输出端相联通接收第二处理气体；其特征在于所述隔离壁与所述旋转轴具有不同距离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 处理 装置 应用于 气体 分布 | ||
【主权项】：
一种半导体处理装置，包括：反应腔，反应腔内包括一个沿旋转轴旋转的基座，基座上设置有待处理基片，反应腔内与所述旋转基座相对的是一个供气系统；所述供气系统包括一个气体分布腔和一个分流器，分流器接收来自气源的反应气体并通过第一输出端和第二输出端输出第一和第二处理气体到所述气体分布腔内；气体分布腔包括面向所述基座的第一表面，第一表面包括多个通气孔联通到气体分布腔将反应气体供应到所述基片；所述气体分布腔内还包括一个隔离壁将所述气体分布腔分隔成中心腔和环绕所述中心腔的外围腔，所述中心腔与所述第一输出端相联通接收第一处理气体，外围腔与所述第二输出端相联通接收第二处理气体；其特征在于所述隔离壁与所述旋转轴具有不同距离。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
