[发明专利]自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310627769.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855218A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | D·B·法默;A·D·富兰克林;J·T·史密斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及自对准双栅石墨烯晶体管及其制造方法。公开了一种制造半导电器件的方法。在衬底上形成石墨烯片。在所述石墨烯片中形成至少一个狭槽，其中所述至少一个狭槽具有允许蚀刻剂穿过所述石墨烯片的宽度。穿过形成在所述石墨烯片中的所述至少一个狭槽向所述衬底施加蚀刻剂以蚀刻所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 石墨 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导电器件的方法，包括：在衬底上形成石墨烯片；在所述石墨烯片中形成至少一个狭槽，所述至少一个狭槽具有允许蚀刻剂穿过所述石墨烯片的宽度；以及穿过形成在所述石墨烯片中的所述至少一个狭槽向所述衬底施加蚀刻剂以蚀刻所述石墨烯片下方的所述衬底。
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