[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201310628000.1 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103700704B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张金金,汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件。目的是防止例如湿气和氧等杂质混合进入氧化物半导体并且抑制其中使用氧化物半导体的半导体器件的半导体特性中的变化。另一个目的是提供具有高可靠性的半导体器件。提供在具有绝缘表面的衬底之上的栅极绝缘膜、提供在该栅极绝缘膜之上的源电极和漏电极、提供在该源电极和漏电极之上的第一氧化物半导体层，以及提供在该源电极与漏电极和该第一氧化物半导体层之间的源区和漏区被提供。阻挡膜提供为与该第一氧化物半导体层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：栅电极层；在所述栅电极层上的栅绝缘层；隔着所述栅绝缘层在所述栅电极层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含沟道形成区；在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层电接触的源电极层和漏电极层；在所述源电极层和所述漏电极层上的阻挡膜，其中所述阻挡膜与所述氧化物半导体层的在所述源电极层和所述漏电极层之间的部分接触；以及端子部分，包括由与所述栅电极层相同的材料形成的电极、所述电极上的所述栅绝缘层、由与所述源电极层相同的材料形成的端子、所述端子上的所述阻挡膜和透明导电层，其中所述透明导电层通过所述阻挡膜的开口接触所述端子，其中所述端子部分的所述电极处于电浮动，其中所述源电极层和所述漏电极层的每个包含含有铜和锰的合金，以及其中所述氧化物半导体层包含浓度小于或等于5×1019/cm3的钠。
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