[发明专利]一种薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备在审
| 申请号： | 201310628921.8 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104681671A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 谭秀航 | 申请（专利权）人： | 青岛事百嘉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 266700 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备，其技术方案是：研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上制备出效率为6.65％的非晶硅锗(a.SiGe:H)单结太阳能电池。本发明的优点是：研究RF—PECVD工艺中二者对a.SiGe:H材料光电性能的影响，以制备高质量的a.SiGe:H薄膜，并在此基础上制a-SiGe:H电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 非晶硅锗 制备 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备，其特征是：利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF—PECVD)制备非晶硅锗薄膜制备高质量a.SiGe:H材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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