[发明专利]一种N源间隔输送制备氮化物单晶薄膜及方法有效
| 申请号： | 201310629266.8 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103710747A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/22;C30B29/38;B32B9/00 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种N源间隔供源制备的氮化物单晶薄膜及方法，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜，其制备方法，包括如下工艺步骤：1）单晶衬底放入反应室，高温烘烤；2）在单晶衬底上制备Al浸润层；3）在浸润层上制备氮化铝AlN缓冲层；4）在氮化铝AlN缓冲层上制备氮化物单晶薄膜；5）降至室温，取出。优点：本方法因在间隔供源方法制备氮化铝优点的基础上，加入In气氛和Al浸润层的优势，所以进一步改善了氮化铝缓冲层和氮化物单晶薄膜的晶体和表面质量，降低了薄膜应力；具有结构简单、工艺可控；表面形貌好；低成本等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 间隔 输送 制备 氮化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种N源间隔输送制备的氮化物晶薄膜，其特征是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。
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