[发明专利]基于半导体的霍尔传感器有效
| 申请号： | 201310629910.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104253208B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李性宇;安熙伯 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种霍尔传感器。该霍尔传感器包括布置在半导体衬底上的霍尔元件。该霍尔元件包括：感测区、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和掺杂区，该掺杂区布置在感测区上，感测区具有至少一个拐角或圆角。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 霍尔 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种霍尔传感器，包括布置在半导体衬底上的霍尔元件，所述霍尔元件包括：第一导电类型的感测区，其被配置成检测磁场的变化，第一电极和第三电极，所述第一电极和所述第三电极彼此相对，并且被配置成测量所述感测区上的电流，第二电极和第四电极，所述第二电极和所述第四电极彼此相对，并且被布置成垂直于所述第一电极和所述第三电极，并且被配置成测量电压的变化，以及第二导电类型的掺杂区，其被布置在所述感测区上，并且覆盖所述感测区的表面并在所述感测区之外延伸，其中，所述感测区具有至少一个拐角或圆角，以及其中，围绕所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个形成有绝缘层，以将所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极和所述第四电极中的每一个与所述掺杂区分开。
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