[发明专利]控制多晶硅栅极关键尺寸的方法有效
| 申请号： | 201310630338.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103681287A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 许进;唐在峰;任昱;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，所述方法包括：提供一用于进行多晶硅栅极刻蚀工艺的反应腔体和一需进行多晶硅栅极刻蚀工艺的半导体结构；在将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀前，于所述反应腔体的内壁表面沉积一硅氧化合物；将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺。采用本发明的技术方案可以根据沉积SiO2Cl4的时间定量地控制多晶硅栅极的关键尺寸，同时在多晶硅栅极的关键尺寸出现问题时，也可以快捷准确的找到问题的切入点，从而提高晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 多晶 栅极 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，所述方法包括：S1，提供一用于进行多晶硅栅极刻蚀工艺的反应腔体和一需进行多晶硅栅极刻蚀工艺的半导体结构；S2，在将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀前，于所述反应腔体的内壁表面沉积硅氧化合物；S3，将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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