[发明专利]晶圆缺陷检测方法

摘要

本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法，包括如下步骤：检测晶圆上各芯片区的膜厚；根据各芯片区的膜厚分布信息将晶圆表面划分为多个检测区，每一检测区包括至少一芯片区；为每一检测区选用一确定波长的检测光束，以使在各检测光束投射下的、结构相同的芯片区灰度特征相近；以各检测光束逐次投射于与其对应的检测区中的每一芯片区，依据该芯片区的灰度特征检测该芯片区的缺陷。其提高了对于膜厚分布不均匀的晶圆的适应性，且显著提高了缺陷识别率，其精度高、实现成本低、利于在行业领域内推广。

主权项

一种晶圆缺陷检测方法，包括如下步骤：a)、检测晶圆上各芯片区的膜厚；b)、根据所述各芯片区的膜厚分布信息将所述晶圆表面划分为多个检测区，每一所述检测区包括至少一所述芯片区；c)、为每一所述检测区选用一确定波长的检测光束，以使在各所述检测光束投射下的、结构相同的芯片区灰度特征相近；任两个所述灰度特征相近的芯片区之间的平均灰度差小于10；所述晶圆膜厚分布范围为340‑380nm，所述检测光束波长取值范围为260‑370nm；所述晶圆表面包括4个检测区，其膜厚范围分别为340‑350nm、350‑360nm、360‑370nm以及370—380nm，对应的检测光束波长的取值范围分别为260‑285nm、295‑320nm、340‑360nm以及360‑370nm；d)、以各所述检测光束逐次投射于与其对应的检测区中的每一所述芯片区，依据该芯片区的灰度特征检测该芯片区的缺陷。