[发明专利]压电悬臂梁传感器结构制造方法

摘要

本发明涉及一种压电悬臂梁传感器结构制造方法,包括如下步骤：在硅衬底上定义出一牺牲层填充区，刻蚀该牺牲层填充区形成一沟槽；在硅衬底上沉积一牺牲层以填充沟槽；在硅衬底上沉积一层多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上形成下电极；在下电极上形成压电薄膜；在压电薄膜上形成上电极；在该结构表面生长一层氮化硅作为刻蚀阻挡层，刻蚀上电极区域之外、牺牲层上方的氮化硅，以形成一释放窗口；通过释放窗口去除沟槽中的牺牲层，形成该结构。其提高了压电悬臂梁传感器制造工艺与硅集成电路工艺的兼容性，避免了体硅衬底用湿法刻蚀从背面释放形成悬臂梁工艺中易出现的污染以及微结构与衬底粘连的问题。

主权项

1.一种压电悬臂梁传感器结构制造方法,包括如下步骤：a)、在硅衬底上定义出一牺牲层填充区，刻蚀该牺牲层填充区形成一沟槽；b)、在所述硅衬底上沉积一牺牲层以填充所述沟槽；c)、在所述硅衬底上沉积一层多晶硅薄膜；d)、在所述多晶硅薄膜上形成下电极；e)、在所述下电极上形成压电薄膜；f)、在所述压电薄膜上形成上电极；g)、刻蚀去除所述上电极区域之外的多晶硅薄膜；以化学气相沉积方法在所述结构表面生长一层SiN，作为刻蚀阻挡层；以干法刻蚀方法刻蚀所述上电极区域之外、所述牺牲层上的SiN，形成释放窗口；h)、以各向同性湿法刻蚀工艺去除所述沟槽中的牺牲层，形成所述结构。