[发明专利]一种MEMS芯片微腔内部残余压力测量系统及方法有效
| 申请号： | 201310631974.5 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103616124A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 江俊峰;刘铁根;尹金德;刘琨;王双;邹盛亮;秦尊琪;吴振海 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01L11/02 | 分类号： | G01L11/02 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS芯片微腔内部残余压力测量方法，包括以下步骤：通过气压控制系统气压变化，使加在处于密封状态的待测MEMS芯片的微腔上的外界压力得到压力扫描曲线，对所述待测MEMS芯片的第一测量位置和第二测量位置这两个不同位置利用反射光进行腔长测量；所得到的腔长测量数据互为参考，对这两组测量数据进行线性拟合，在测量数据交点区域看到两组数据的交点，即得到膜片平坦位置，此时对应的外界压力即为待测的残余压力。与现有技术相比，本发明是一种非破坏性的测量方法；对同一待测MEMS芯片的两个不同测量位置进行腔长测量，两位置的腔长测量数据互为参考；两位置处腔长测量时始终处于相同的外部压力条件下，保证作为参考信号的可靠性与同步性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 芯片 内部 残余 压力 测量 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS芯片微腔内部残余压力测量方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：通过气压控制系统气压变化，使加在处于密封状态的待测MEMS芯片的微腔上的外界压力（4）得到压力扫描曲线，对所述待测MEMS芯片的第一测量位置和第二测量位置这两个不同位置利用反射光进行腔长测量；所得到的腔长测量数据互为参考，对这两组测量数据进行线性拟合，在测量数据交点区域看到两组数据的交点，即得到膜片平坦位置（30），此时对应的外界压力（4）即为待测的残余压力（5）。
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