[发明专利]一种Co2+掺杂二氧化钛自清洁薄膜的制备方法及应用

摘要

一种Co2+掺杂二氧化钛自清洁薄膜的制备方法及应用，将酞酸丁酯和无水乙醇混合均匀，加入二乙醇胺制得透明溶液A；将去离子水、乙酰丙酮和无水乙醇混合均匀，制得透明溶液B；将透明溶液B加入透明溶液A中；向得到的混合溶液中加入四水合醋酸钴，并调节混合溶液的pH值至2.0～5.0，搅拌形成均匀溶胶，陈化后得凝胶C；将清洗干净的基片浸入凝胶C中静置，反复提拉镀膜直到得到所需厚度的薄膜，然后依次干燥，退火，得Co2+掺杂二氧化钛自清洁薄膜。该方法工艺设备简单、成本低、成膜性和可重复性良好，且所制得的薄膜在日光照射下催化甲基橙降解的能力明显高于二氧化钛薄膜。

主权项

一种Co2+掺杂二氧化钛自清洁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将酞酸丁酯和无水乙醇按1∶（0.5～5）的体积比混合均匀，然后在搅拌下加入二乙醇胺，制得透明溶液A；其中，透明溶液A中二乙醇胺的体积含量为3%～8%；2）将去离子水、乙酰丙酮和无水乙醇按照1∶（0.5～3）∶（10～20）的体积比混合均匀，制得透明溶液B；3）将透明溶液B和透明溶液A混合均匀，得混合溶液；然后向混合溶液中加入四水合醋酸钴，并用盐酸调节混合溶液的pH值至2.0～5.0，搅拌1h～5h后形成均匀溶胶；均匀溶胶在室温下陈化后得镀膜所需的凝胶C；其中，所加入的四水合醋酸钴占凝胶C质量的0.1%～10%；4）将清洗干净的基片浸入凝胶C中静置，然后反复竖直匀速提拉镀膜直到得到所需厚度的薄膜，将得到的镀膜基片于50℃干燥，然后在300℃～600℃下退火处理1h～8h，得到Co2+掺杂二氧化钛自清洁薄膜。