[发明专利]微机电系统用可动质量块的制造方法在审
| 申请号： | 201310632884.8 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104671192A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣;夏长奉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微机电系统用可动质量块的制造方法，其包括：提供具有正面和反面的单晶硅；在所述单晶硅的正面淀积牺牲层；在所述牺牲层上淀积多晶硅种子层；通过外延工艺在所述多晶硅种子层上生成多晶硅外延层；采用深硅刻蚀工艺自所述多晶硅外延层上表面有选择的刻蚀出贯穿多晶硅外延层和多晶硅种子层的释放孔，以定义出多晶硅质量块；经释放孔腐蚀去除所述多晶硅质量块周边的牺牲层，使所述多晶硅质量块释放成为可动结构。与现有技术相比，本发明中微机电系统用可动质量块的制造方法采用外延多晶硅工艺在单晶硅片上形成多晶硅层，以制得较大的多晶硅质量块，从而增加微机电系统器件的灵敏度，减小噪声干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 用可动 质量 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统用可动质量块的制造方法，其特征在于，其包括:提供具有正面和反面的单晶硅;在所述单晶硅的正面淀积牺牲层;在所述牺牲层上淀积多晶硅种子层；通过外延工艺在所述多晶硅种子层上生成多晶硅外延层；采用深硅刻蚀工艺自所述多晶硅外延层上表面有选择的刻蚀出贯穿多晶硅外延层和多晶硅种子层的释放孔，以定义出多晶硅质量块；经释放孔腐蚀去除所述多晶硅质量块周边的牺牲层，使所述多晶硅质量块释放成为可动结构。
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