[发明专利]锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件在审
| 申请号： | 201310633486.8 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104673304A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/75 | 分类号： | C09K11/75;H01L33/50;C23C16/40 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;刘耿 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件，所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSb2-xSi2O10：xMn4+；其中：MeSb2-xSi2O10是基质，Mn4+是掺杂元素；x的取值范围为0.01~0.08；Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜在655nm波长区有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜以锰金属替换稀土材料，减少稀土材料的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 硅酸盐 发光 薄膜 及其 制备 方法 电致发光 器件 | ||
【主权项】：
一种锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜，其特征在于，其化学通式为MeSb2‑xSi2O10：xMn4+；其中：MeSb2‑xSi2O10是基质，Mn4+是掺杂元素；x的取值范围为0.01~0.08；Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
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