[发明专利]一种双扩散金属氧化物半导体及其制作方法在审
| 申请号： | 201310634212.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103594520A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 吉扬永;马蒂·E·加内特 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种双扩散金属氧化物半导体及其制作方法。所述双扩散金属氧化物半导体包括：P型衬底、外延层、场氧、N型阱区、栅氧、多晶硅栅、P型基区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区以及P型重掺杂区。所述双扩散金属氧化物半导体具有更小的Ron×A。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 金属 氧化物 半导体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双扩散金属氧化物半导体，包括：P型衬底；形成在P型衬底上的外延层；形成在外延层上的场氧；形成在外延层内的N型阱区；形成在外延层上的栅氧；形成在栅氧和场氧上的多晶硅栅；形成在外延层内的P型基区；形成在N型阱区内的第一N型重掺杂区；形成在P型基区内的第二N型重掺杂区；以及形成在P型基区内的P型重掺杂区，所述P型重掺杂区毗邻所述第二N型重掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310634212.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种树木茎杆创口用创可贴的使用方法
- 下一篇：天麻栽培的通气技术
- 同类专利
- 专利分类
