[发明专利]一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310634216.9 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN103675034A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 刘欢;唐江;傅邱云;李敏;周东祥 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04
代理公司: 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 代理人: 方可
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。制备方法包括如下步骤:(1)将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上,使其均匀成膜;(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜;(3)去除残余的短链配体及其副产物;(4)多次重复执行步骤(1)至步骤(3),得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜,完成气体传感器的制备。上述方法中,也可以直接在绝缘衬底上成膜,在最后得到的半导体胶态量子点薄膜上制备电极。气体传感器包括绝缘衬底、电极和气敏层,气敏层为半导体胶态量子点薄膜。该气体传感器可在常温下检测气体浓度的瞬间或微量变化,响应恢复速度快且灵敏度高,安全便携,具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 半导体 电阻 气体 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种气体传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上,使其均匀成膜;(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜;(3)去除残余的短链配体及其副产物;(4)多次重复执行步骤(1)至步骤(3),得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜,完成气体传感器的制备。
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