[发明专利]CIGS原位掺杂方法

摘要

本发明公开了一种对薄膜材料进行原位掺杂的方法。可以掺杂的元素包括硒(Se)，钠(Na)，硫(S)，锡(Sn)，硒(Se)，铟(In)，Sb(锑)，镓(Ga)，碲(Te)，钼(Mo)，砷(As)。本发明将含有这些元素的配体连接到半导体纳米颗粒表面，涂到基片表面后，通过退火使得纳米颗粒重新结晶形成薄膜，实现。元素的原位掺杂。针对CIGS纳米颗粒，发明了具体的原位掺杂工序，包括配体的合成和交换，并针对不同的材料选择直接掺杂和间接掺杂。这实现了对于CIGS纳米颗粒的掺杂比例可控的原位掺杂(图中，元素X为硒(Se)，钠(Na)，硫(S)，锡(Sn)，硒(Se)，铟(In)，Sb(锑)，镓(Ga)，碲(Te)，钼(Mo)，砷(As)中的一种或多种)。

主权项

一种对薄膜材料进行原位掺杂的方法，所述方法包括所掺杂的元素通过表面配体的形式连接到纳米颗粒的表面；掺杂方式有间接掺杂和直接掺杂两种；间接掺杂就是先用初始配体合成出纳米颗粒，再使用含特殊元素的配体与初始配体进行交换，间接将特殊元素的连接到纳米颗粒表面；直接掺杂就是在合成纳米颗粒的过程中，加入所需的元素的配体；纳米颗粒的溶液涂于基片之上后，通过高温退火将所掺杂元素掺杂进入纳米颗粒，并重新结晶。