[发明专利]一种垂花蕙兰的组培快繁方法有效

专利信息
申请号: 201310634412.6 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN103609452A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 陈建中;孙庆俊;张海洋;李百健 申请(专利权)人: 陈建中
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 袁彩君
地址: 313000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于生物技术领域,具体涉及一种垂花蕙兰的组培快繁方法。该方法包括如下步骤,(1)垂花蕙兰原球茎的诱导形成:培养基质为40%松树皮+60%培养基,培养基为1/2MS基本培养基;(2)垂花蕙兰原球茎的增殖培养:培养基质为40%松树皮+60%培养基,培养基为1/2MS+6-BA1.0~2.0mg/L+NAA0.3~0.8mg/L+KT0.3~0.8mg/L+50g/L CW;(3)垂花蕙兰原球茎分化和壮苗生根:培养基质为40%松树皮+60%培养基,培养基为1/2MS+6-BA0.5~1.2mg/L+NAA0.1~0.3mg/L+100g/L PJ;(4)垂花蕙兰试管苗的驯化和移栽。本发明建立了一个低廉高效的垂花蕙兰组培快繁体系。
搜索关键词: 一种 垂花 组培快繁 方法
【主权项】:
一种垂花蕙兰的组培快繁方法,其特征在于:包括如下步骤,(1)垂花蕙兰原球茎的诱导形成:培养基质为40%松树皮+60%培养基;其中培养基为1/2MS基本培养基,白糖30g/L,琼脂5~8g/L,pH5.6;培养基质在121℃、1.1kg/cm2下灭菌18min;剖开消毒好的蒴果,把种子撒到无菌水中,摇匀,然后接种至培养基质上;培养温度为25±2℃,光照强度为1500~2000Lx,光暗周期比为12h:12h;(2)垂花蕙兰原球茎的增殖培养:培养基质为40%松树皮+60%培养基;培养基为1/2MS+6‑BA1.0~2.0mg/L+NAA0.3~0.8mg/L+KT0.3~0.8mg/L+50g/L CW(椰乳);1/2MS为基本培养基,白糖20g/L,琼脂5~8g/L,pH5.6;培养基质在121℃、1.1kg/cm2下灭菌18min;取已诱导出的原球茎,接种于增殖培养基上;培养温度为25±2℃,光照强度为1500~2000Lx,光暗周期比为12h:12h;(3)垂花蕙兰原球茎分化和壮苗生根:培养基质为40%松树皮+60%培养基;培养基为1/2MS+6‑BA0.5~1.2mg/L+NAA0.1~0.3mg/L+100g/L PJ(马铃薯汁);1/2MS为基本培养基,白糖20g/L,琼脂5~8g/L,pH5.6;培养基质在121℃、1.1kg/cm2下灭菌18min;将增殖培养的原球茎接种于分化和壮苗生根培养基上;培养温度为25±2℃,光照强度为1500~2000Lx,光暗周期比为12h:12h;(4)垂花蕙兰试管苗的驯化和移栽:将垂花蕙兰生根试管苗从培养室移至塑料大棚放置3~5d后,去瓶盖炼苗3~5d,然后从瓶内取出垂花蕙兰幼苗,用水轻轻洗去培养基,将待栽的垂花蕙兰幼苗根 部用0.1%多菌灵处理10s后,将幼苗移栽入穴盘中的栽培基质内,覆膜保湿5~7d,其间每天通风透气5~15min两次,视光照强度适当加盖遮阳网,一周后完全揭除塑料薄膜小拱棚,喷施1000倍液的甲基托布津,此后进行正常的栽培管理。
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