[发明专利]包括翼片和漏极延伸区的半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201310634606.6 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103855220A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | C.坎彭;A.迈泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;马永利 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及包括翼片和漏极延伸区的半导体器件和制造方法。半导体器件的一个实施例包括在半导体主体的第一侧的翼片。半导体器件进一步包括在翼片的至少部分中的第二传导类型的主体区。半导体器件进一步包括第一传导类型的漏极延伸区、第一传导类型的源极区和漏极区、和邻接翼片的相对壁的栅极结构。主体区和漏极延伸区接连地布置在源极区和漏极区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 延伸 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在半导体主体的第一侧的翼片；在翼片的至少部分中的第二传导类型的主体区；第一传导类型的漏极延伸区；第一传导类型的源极区和漏极区；和邻接翼片的相对壁的栅极结构；其中主体区和漏极延伸区接连地布置在源极区和漏极区之间。
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