[发明专利]一种铜铟镓硒靶材的无压烧结制备方法有效
| 申请号： | 201310636716.6 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103626495A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;刘战强;王耀明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/547 | 分类号： | C04B35/547;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明涉及一种铜铟镓硒靶材的无压烧结制备方法，包括：硒位缺失的CIGS1-δ粉体的制备：按CIGS1-δ的化学计量比分别称取铜源、铟源、镓源和硒源，混合后真空封装，于900～1100℃反应1～10小时制得包含第二物相(In1-xGax)Se的CIGS1-δ粉体，其中，δ为硒缺失比例，0<δ<1，0≤x≤0.5；前驱粉体的制备：将所得CIGS1-δ粉体与Se粉体按各自的Se元素的比例为（1-δ）：δ的比例充分混匀并粉碎至规定粒度制得前驱粉体；压制成型：将所述前驱粉体压制成型制得前驱块体；以及无压烧结：将所述前驱块体放置在密闭且负压的保护气氛下的烧结炉中进行无压烧结制得铜铟镓硒靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒靶材 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒靶材的无压烧结制备方法，其特征在于，包括：（1）硒位缺失的CIGS1‑δ粉体的制备：按CIGS1‑δ的化学计量比分别称取铜源、铟源、镓源和硒源，混合后真空封装，于900～1100℃反应1～10小时制得包含第二物相(In1‑xGax)Se的CIGS1‑δ粉体，其中，δ为硒缺失比例，0 <δ<1，0≤x≤0.5；（2）前驱粉体的制备：将所得CIGS1‑δ粉体与Se粉体按各自的Se元素的比例为（1‑δ）：δ的比例充分混匀并粉碎至规定粒度制得前驱粉体；（3）压制成型：将所述前驱粉体压制成型制得前驱块体；以及（4）无压烧结：将所述前驱块体放置在密闭且负压的保护气氛下的烧结炉中进行无压烧结制得铜铟镓硒靶材。
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