[发明专利]一种高安全芯片有源屏蔽物理保护结构的设计方法有效
| 申请号： | 201310636905.3 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103646137A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张颖;潘亮;陈波涛 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种高安全芯片有源屏蔽物理保护结构的设计方法。芯片有源屏蔽物理保护结构具有防止高安全芯片受到侵入式攻击(如被物理篡改或探测)的作用。有源屏蔽线采用单层金属走线，布满芯片表面。为了保证下层物理图形不被攻击，通常金属走线采用最小的设计规则。如果全芯片布满按最小规则设计的图形，将会增加由于颗粒沾污导致的芯片电路功能性能失效的可能性。为了减少量产芯片电路失效，通常会放宽有源屏蔽线的宽度(width)或\和间距(spacing)。而放宽有源屏蔽线尺寸又会降低芯片的安全性。为了解决芯片安全性和量产产品的成品率(yield)之间的矛盾，本文提出了变截距(pitch)的有源屏蔽物理保护结构，实现芯片产品的安全性和成品率的双提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 安全 芯片 有源 屏蔽 物理 保护 结构 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种高安全芯片有源屏蔽物理保护结构的设计方法，其特征在于对芯片划分不同的安全等级区域，根据有源屏蔽线需要保护模块或区域，在不同的安全区域内使用不同的有源屏蔽物理保护结构，芯片高安全等级区域有源屏蔽层走线采用较小截距，芯片较低安全等级区域采用较大的截距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中电华大电子设计有限责任公司，未经北京中电华大电子设计有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310636905.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中间有导引磁块的两个磁块挤压的磁悬浮结构
- 下一篇：一种新型蚊香
