[发明专利]氮化镓激光器腔面的制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。

主权项

一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括如下步骤：步骤S1：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到氮化镓外延片，所述氮化镓激光器结构从衬底(10)一侧依次包括n型欧姆接触层(11)、n型限制层(12)、n型波导层(13)、量子阱(14)、电子阻挡层(15)、p型波导层(16)、p型限制层(17)、p型欧姆接触层(18)；步骤S2：在所述p型欧姆接触层(18)上涂覆光刻胶，形成光刻胶层(19)：步骤S3：使用光刻版对所述光刻胶层(19)进行光刻；步骤S4：在所述光胶层上蒸镀金属；步骤S5：去除光刻胶层，在p形型欧姆接触层上得到金属掩膜(20)；步骤S6：根据金属掩膜(20)的图案从所述p型欧姆接触层(18)进行刻蚀，依次刻蚀掉所述p型欧姆接触层(18)、p型限制层(17)、p型波导层(16)、电子阻挡层(15)、量子阱(14)、n型波导层(13)和n型限制层(12)；步骤S7：对所述外延片进行腐蚀，以去除腔面上由刻蚀造成的条纹状损伤，并对腔面进行侧向腐蚀，使腔面变得垂直并且平滑；步骤S8：去除所述金属模板。