[发明专利]一种半导体装置终端可靠性加固技术在审
| 申请号： | 201310637598.0 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103887327A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何敏;任娜;王珏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州市西湖区文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置终端可靠性加固技术；本发明的终端结构，对场限环的环间距和个数进行优化设计，使击穿点发生在主结边缘，并且在主结P区的边缘注入形成重掺杂的P区，进一步辅助泄漏电流从有源区电极迅速通过，从而避免场限环边缘发生击穿而带来的介质层可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 终端 可靠性 加固 技术 | ||
【主权项】：
一种半导体装置终端可靠性加固技术，其特征：阳极和阴极；碳化硅半导体与所述阳极和阴极形成欧姆接触。
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