[发明专利]用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置及沉积方法有效
| 申请号： | 201310638442.4 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104674184A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 徐继平;史训达;张硕;李耀东;刘斌;赵晶;王海涛;梁雨东;刘佐星 | 申请（专利权）人： | 有研新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/24 | 分类号： | C23C16/24;C23C16/455;C30B25/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置及沉积方法。该气体传输装置包括主输气管、中心传导管和副输气管，其中，该主输气管为上部直径大下部直径小的异径管，其上端封闭，下端具有进气口；该副输气管由加固棒支撑，其上端封闭，下端通过中心传导管与主输气管的变径处的上方连通；该主输气管和副输气管的侧面上分别设有数个出气孔。沉积方法包括：(1)将气体传输装置装载在垂直炉上，进气口连接质量流量计和硅烷气体源；(2)设定沉积腔体内的温度、沉积压力和硅烷流量；(3)通硅烷气体，在硅基衬底上沉积多晶硅膜。采用本发明的气体传输装置和沉积方法沉积的8英寸硅基多晶硅膜，膜质吸杂性能非常好，真正达到了工艺简化、质量提升和成本降低的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基多 晶硅膜 沉积 气体 传输 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于硅基多晶硅膜沉积的气体传输装置，其特征在于，包括主输气管、中心传导管和副输气管，其中，该主输气管为上部直径大下部直径小的异径管，其上端封闭，下端具有进气口；该副输气管由加固棒支撑，其上端封闭，下端通过中心传导管与主输气管的变径处的上方连通；该主输气管和副输气管的侧面上分别设有数个出气孔。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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