[发明专利]一种提高烧结钕铁硼材料性能的处理方法在审
申请号: | 201310641162.9 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN104681225A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 陈云志;王志坚;刘宇晖;苏正夫;邓月华;朱望伟;彭雁;游建辉;兰石琨 | 申请(专利权)人: | 湖南稀土金属材料研究院 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;C23C10/18 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 410126 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种提高烧结钕铁硼材料性能的处理方法。本发明属于烧结钕铁硼磁体制备领域,通过对烧结钕铁硼磁体微观结构和成分的后期改变,来提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。即在已经烧结的钕铁硼磁体基材的表面形成含有Dy、Tb、Ho、Al和Ga中的一种元素或多种元素组合的涂覆层,加热至所述磁体基材烧结温度以下的温度进行回火热处理,由此将涂覆层中的Dy、Tb、Ho、Al和Ga中的一种元素或多种元素扩散到所述磁体基材内部晶界处,改善磁体的微观结构和局部成分,从而提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 烧结 钕铁硼 材料 性能 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种提高烧结钕铁硼材料性能的处理方法,是在已经烧结的钕铁硼磁体基材的表面形成含有Dy、Tb、Ho、Al和Ga中的一种元素或多种元素组合的涂覆层,加热至所述磁体基材烧结温度以下的温度进行热处理,由此将涂覆层中的Dy、Tb、Ho、Al和Ga中的一种元素或多种元素扩散到所述磁体基材内部晶界处,改善磁体的微观结构和局部成分,提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力的处理方法。
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