[发明专利]一种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310641596.9 申请日: 2013-12-03
公开(公告)号: CN103630965A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 张涛;陈伟;杜城;罗文勇;莫琦;但融;雷琼;李诗愈;刘志坚 申请(专利权)人: 烽火通信科技股份有限公司;武汉烽火锐光科技有限公司
主分类号: G02B6/036 分类号: G02B6/036;C03B37/018
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 魏殿绅;庞炳良
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法,涉及光纤领域,其裸光纤由内至外依次包括芯层、内包层、下陷包层和外包层,所述外包层为石英包层,所述芯层、内包层、下陷包层的折射率依次减小,芯层相对外包层的相对折射率差为0.85~0.95%;内包层相对外包层的相对折射率差为0.10~0.20%;下陷包层相对外包层的相对折射率差为-0.15~-0.25%;制造中利用改进的化学气相沉积法工艺,在石英反应管内依次沉积下陷包层、内包层以及芯层,沉积原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷;本发明在不影响拉锥性能的前提下,提升光纤的抗弯曲性能,保证其在C+L波段的光纤耦合器小型化中的应用要求。
搜索关键词: 一种 弯曲 光纤 及其 制造 方法
【主权项】:
一种抗弯曲拉锥光纤,其裸光纤由内至外依次包括芯层、内包层、下陷包层和外包层,所述外包层为石英包层,其特征在于:所述芯层、内包层、下陷包层的折射率依次减小,芯层相对外包层的相对折射率差为0.85~0.95%;内包层相对外包层的相对折射率差为0.10~0.20%;下陷包层相对外包层的相对折射率差为‑0.15~‑0.25%。
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