[发明专利]具有一维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池及其制造工艺无效
申请号: | 201310641793.0 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN103606583A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 周建朋;汤叶华;马跃;夏建汉;郝秀利;王孟 | 申请(专利权)人: | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226600 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有一维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池,其结构由上往下依次为非晶硅太阳电池、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA、上转换器、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA、一维光子晶体反射镜,其制造工艺包括制备非晶硅太阳电池、制备上转换器、制备一维光子晶体反射镜、叠层和层压几个步骤。本发明可以增加非晶硅太阳电池对近红外光子的利用,提高太阳电池的短路电流,进而提高太阳电池的转换效率。一维光子晶体背反射镜可以增强反射效果,减少光子的透射损失,有利于提高电池的转换效率。同时一维光子晶体取代金属反射镜,可以降低材料成本,可利用非晶硅太阳电池的生产设备进行制备,无需增加设备成本。 | ||
搜索关键词: | 具有 光子 晶体 转换 非晶硅 太阳电池 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种具有一维光子晶体的上转换非晶硅太阳电池,其特征在于:其结构由上往下依次为非晶硅太阳电池(1)、乙烯‑醋酸乙烯共聚物EVA(2)、上转换器(3)、乙烯‑醋酸乙烯共聚物EVA(2)、一维光子晶体反射镜(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧贝黎新能源科技股份有限公司,未经欧贝黎新能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310641793.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的