[发明专利]一种单光子探测系统及其温度控制方法无效
申请号: | 201310642350.3 | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN103674288A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 张盛祥;陈杰;曾和平 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | G01J11/00 | 分类号: | G01J11/00;G05D23/24 |
代理公司: | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董红曼 |
地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种单光子探测系统,包括:制冷单元,其内部设置有半导体制冷片与雪崩光电二极管,制冷单元内通过半导体制冷片为雪崩光电二极管制冷;温度传感单元,其包括至少两个温敏电阻,用于感测制冷单元内部和外部的温度得到温度数据;处理器单元,其接收并处理温度传感单元感测的温度数据;温度控制单元,其控制半导体制冷片在制冷时的目标温度;电压控制单元,其控制雪崩光电二极管的反向偏压。本发明能根据外界温度调节制冷系统PID温度控制的目标温度,从而提高制冷系统的制冷效率及单光子探测器的性能。本发明还公开了一种单光子探测系统的温度控制方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 光子 探测 系统 及其 温度 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种单光子探测系统,其特征在于,包括:制冷单元(1),其内部设置有半导体制冷片(11)与雪崩光电二极管(12),所述制冷单元(1)内通过所述半导体制冷片(11)为所述雪崩光电二极管(12)制冷;温度传感单元,其包括至少两个温敏电阻,用于感测所述制冷单元(1)内部和外部的温度得到温度数据;处理器单元(3),其接收并处理所述温度传感单元感测的温度数据;温度控制单元(4),其控制所述半导体制冷片(11)在制冷时的目标温度;电压控制单元(5),其控制所述雪崩光电二极管(12)的反向偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学,未经华东师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310642350.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种温度变送器的标定系统
- 下一篇:高密度封装电子组件发射率检测方法