[发明专利]带隙基准电路有效
| 申请号： | 201310642376.8 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103869861A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 井口大辉;曙佐智雄;广野大辅;牧川洁志;郑文在 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 带隙基准电路，包括：第一PMOSFET，其连接到电源节点；第一电阻器，其连接到第一PMOSFET的漏极；第一二极管，其连接到第一电阻器与接地节点；第二PMOSFET，其连接到电源节点；第二二极管，其连接到第二PMOSFET的漏极和接地节点；第二电阻器，其连接在第一PMOSFET与接地节点之间；第三电阻器，其连接在第二PMOSFET与接地节点之间；第三PMOSFET，其连接到电源节点和基准电压的输出节点；第四电阻器，其连接在第三PMOSFET和接地节点之间；以及运算放大器，其具有连接到第一PMOSFET的非反相输入端和连接到第二PMOSFET的反相输入端，输出电压被供应到第一至第三PMOSFET的每一个栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种带隙基准电路，包括：第一PMOSFET，其源极连接到电源节点；第一电阻器，其一端连接到所述第一PMOSFET的漏极；第一二极管，其连接到所述第一电阻器的另一端与接地节点；第二PMOSFET，其源极连接到所述电源节点；第二二极管，其连接到所述第二PMOSFET的漏极和所述接地节点；第二电阻器，其连接在所述第一PMOSFET的漏极与所述接地节点之间；第三电阻器，其连接在所述第二PMOSFET的漏极与所述接地节点之间；第三PMOSFET，其源极连接到所述电源节点，漏极连接到基准电压的输出节点；第四电阻器，其连接在所述第三PMOSFET的漏极和所述接地节点之间；以及运算放大器，其具有连接到所述第一PMOSFET的漏极的非反相输入端以及连接到所述第二PMOSFET的漏极的反相输入端，高于供给到非反相输入端的电压的电压能够被提供到反相输入端，所述运算放大器的输出电压被施加到所述第一PMOSFET、所述第二PMOSFET和所述第三PMOSFET的各个栅极。
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