[发明专利]OTP器件结构及其加工方法有效
| 申请号： | 201310642610.7 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104681558A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王志刚;李弦 | 申请（专利权）人： | 创飞有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 中国香港中环德辅道中*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种OTP器件结构，该OTP器件结构包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之上的薄栅氧化层和栅极，以及在所述栅极两侧的所述衬底中形成的源区和漏区，其中所述源区和所述漏区在所述衬底中相向延伸并在所述薄栅氧化层下方相接以形成源漏沟道穿通。相应地，本发明还提供了一种OTP器件结构的加工方法。此外，本发明从另一方面提供了一种OTP器件的结构。实施本发明，可以改进OTP器件结构的性能，从而提升OTP存储阵列的产品良率、降低其生产成本以及减小OTP器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | otp 器件 结构 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种OTP器件结构，该OTP器件结构包括：衬底；形成在所述衬底上的薄栅氧低压存储器件和厚栅氧高压选择器件；所述薄栅氧低压存储器件包括形成在所述衬底之上的薄栅氧化层和栅极，以及在所述栅极两侧的所述衬底中形成的源区和漏区，其中所述源区和所述漏区在所述衬底中相向延伸并在所述薄栅氧化层下方相接以形成源漏沟道穿通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
