[发明专利]双面覆铝铝碳化硅IGBT基板的近净成形方法无效
| 申请号： | 201310644808.9 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103658659A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 冯淑容;舒阳会;海春英;何芳;蔡菲菲;宋满新 | 申请（专利权）人： | 湖南航天诚远精密机械有限公司 |
| 主分类号： | B22F5/00 | 分类号： | B22F5/00;C23C24/10;C04B35/565;H01L23/15 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 姜芳蕊;宁星耀 |
| 地址： | 410205 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 双面覆铝铝碳化硅IGBT基板的近净成形方法，包括：1）将双面覆铝铝碳化硅IGBT基板三维数模处理后保存为STL文件，并输送到计算机；2）将铝合金粉末烘干除湿，将铝合金粉末和碳化硅粉末混合料烘干除湿；3）将铝合金粉末放入送粉器，混合料放入另一送粉器；4）根据覆铝层和铝碳化硅层厚度要求，确定每层用哪个送粉器送粉，将这些参数送入计算机，通过计算机控制；5）设定激光成形工艺参数，开启激光熔化快速成型设备，在保护气体环境下，完成平面铝层-铝碳化硅层-球面铝层沉积。使用本发明能够直接制备出复杂形状双面覆铝铝碳化硅IGBT基板，基板组织致密，铝层与铝碳化硅层结合牢固，成型工艺简单，原材料利用率接近100%。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 覆铝铝 碳化硅 igbt 成形 方法 | ||
【主权项】：
双面覆铝铝碳化硅IGBT基板的近净成形方法，其特征在于：包括以下步骤：1）将双面覆铝铝碳化硅IGBT基板的三维数模由切片软件处理后保存为STL文件，将STL文件的数据信息输送到激光熔化快速成型设备的计算机中；2）将铝合金粉末烘干除湿，同时将按比例混合好的铝合金粉末和碳化硅粉末的混合料亦烘干除湿；3）将烘干除湿后的铝合金粉末放入激光熔化快速成形设备的一个送粉器中，将已按比例混合好且已烘干除湿后的铝合金粉末和碳化硅粉末的混合料放入激光熔化快速成形设备的另一个送粉器中；4）根据IGBT基板覆铝层和铝碳化硅层的厚度要求，确定每层向激光熔池中送进粉末的类型，即确定向激光熔池送进铝合金粉末，或是铝合金粉末和碳化硅粉末的混合料；从而确定每层使用哪个送粉器送粉，然后通过计算机控制相应的送粉器送粉，实现对成型过程的实时控制； 5）设置激光成形工艺参数，开启激光熔化快速成型设备，在保护气体环境下，完成平面铝层‑铝碳化硅层‑球面铝层的沉积。
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