[发明专利]基于一维镉掺杂氧化锌纳米线的电压控制存储器及制备方法

摘要

基于一维镉掺杂氧化锌纳米线的电压控制存储器及制备方法，由单根一维镉掺杂氧化锌纳米线、金属电极、载玻片、封装层、导线组成；取单根一维镉掺杂氧化锌纳米线，放置在洁净的载玻片上，在一维镉掺杂氧化锌纳米线两端焊接金属电极，在金属电极上焊接金属导线，用封装材料将金属电极和一维镉掺杂氧化锌纳米线固定在载玻片上，然后放入在30℃恒温箱中，保温8小时。本发明通过改变电压来实现高阻态和低阻态之间相互转变，进而实现信息存取，其M-S-M结构具有优异的电阻开关效应，且制作过程简单，所需设备可重复使用，节省材料，有利于实际应用和工业生产。

主权项

基于一维镉掺杂氧化锌纳米线的电压控制存储器，其特征是由单根一维镉掺杂氧化锌纳米线、金属电极、载玻片、封装层、导线组成；单根一维镉掺杂氧化锌纳米线放置在载玻片上，其两端焊接金属电极并接上导线，封装层将整个单根一维镉掺杂氧化锌纳米线封装在载玻片上；所述的封装层的封装材料是聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷；所述的一维镉掺杂氧化锌纳米线的制备方法是：按Zn:Cd元素的摩尔比为19:1的比例，将六水合硝酸锌和四水合硝酸化镉放入水中溶解，然后再加入30ml‑60ml的三乙醇胺，超声震荡十分钟，达到完全互溶后，放入130℃的烘箱中保温6‑7个小时，使其水分蒸发干，然后放入预先设置好温度为120℃烘箱中进行燃烧，燃烧结束后，把该样品放入800℃马弗炉中进行退火处理，以除去样品表面的碳包裹物得到纳米线。