[发明专利]一种基于表面等离激元与介质模式耦合的复合型光纤无效

专利信息
申请号: 201310646127.6 申请日: 2013-12-04
公开(公告)号: CN103616740A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 苏亚林;张磊;郭世泽;朱峻茂;马军涛;孟楠;姚新磊;孙武剑;张宇 申请(专利权)人: 中国人民解放军总参谋部第五十四研究所
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 仇蕾安;付雷杰
地址: 100191 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种基于表面等离激元与介质模式耦合的复合型光纤,其包括:金属纳米线、基底层和介质纳米线,金属纳米线和介质纳米线均嵌于基底层中;介质纳米线位于金属纳米线周围与金属纳米线互不接触,且介质纳米线到金属纳米线的最小距离为所传输的光信号波长的0.01-0.1倍;金属纳米线的宽度及高度均为所传输的光信号波长的0.03-0.4倍。本发明利用金属纳米线与介质纳米线的耦合显著地将光场限制在金属纳米线周围的低折射率狭缝区域,实现了对传输光场的亚波长约束,同时能够保持较低的传输损耗。而且本发明的复合型光纤显著的提升了传统光纤的光场束缚能力,实现了长距离信号传输,能应用于各类集成光子器件的构建及相关领域。
搜索关键词: 一种 基于 表面 离激元 介质 模式 耦合 复合型 光纤
【主权项】:
一种基于表面等离激元与介质模式耦合的复合型光纤,包括:金属纳米线、基底层和介质纳米线,其特征在于:所述金属纳米线和所述介质纳米线均嵌于所述基底层中;所述介质纳米线位于所述金属纳米线周围与所述金属纳米线互不接触,且所述介质纳米线到所述金属纳米线的最小距离为所传输的光信号波长的0.01‑0.1倍;所述金属纳米线的宽度及高度均为所传输的光信号波长的0.03‑0.4倍;所述介质纳米线的宽度及高度均为所传输的光信号波长的0.03‑0.4倍;进一步的,所述介质纳米线的数量为三个,且所述三个介质纳米线之间互不接触;所述三个介质纳米线中的每两个介质纳米线之间的间距相等,该间距最小为所传输的光信号波长的0.2‑0.8倍;所述三个介质纳米线的折射率相同,所述基底层的折射率与所述三个介质纳米线的折射率比值小于0.75。
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