[发明专利]氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法有效
申请号: | 201310646457.5 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN103682100A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 肖丽;程抱昌 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 330031 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法,在n型半导体材料纳米棒状氧化锌、p型半导体材料三角片状硫氰酸亚铜中间加入聚甲基丙烯酸甲酯。将制备好的纳米棒状氧化锌和三角片状硫氰酸亚铜材料表面分别旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯,相叠,将聚甲基丙烯酸甲酯镶嵌在氧化锌和硫氰酸亚铜中间,待聚甲基丙烯酸甲酯固化。本发明在氧化锌和硫氰酸亚铜两种类型的半导体材料之间加入聚甲基丙烯酸甲酯,使得聚甲基丙烯酸甲酯成为两者之间的连接体,测试性能显示,这种M-O-M结构具有良好的电阻开关效应,可作为存储器使用,且器件的制作工艺简单,具有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 甲基丙烯酸 氰酸 结构 数据 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器,其特征是在n型半导体材料纳米棒状氧化锌、p型半导体材料三角片状硫氰酸亚铜中间加入聚甲基丙烯酸甲酯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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