[发明专利]量子阱HEMT器件及其制备方法和二维电子气分布方法有效
| 申请号： | 201310646501.2 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103633133A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王晓东;胡伟达;侯丽伟;谢巍;俞旭辉;邹锶;文新荣;王兵兵;刘素芳;周德亮;臧元章 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200063 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明提供一种量子阱HEMT器件及其制备方法和二维电子气分布方法，包括在AlN单晶衬底上依次形成的AlN下势垒层、GaN沟道层、AlN上势垒层和Al2O3栅介质层，在AlN上势垒层上形成源、漏电极，在Al2O3栅介质层上形成栅电极，所述GaN沟道层的下半部分采用Si离子进行选择性施主掺杂，而上半部分保持本征状态，所述GaN沟道层下半部分的选择性施主掺杂浓度控制在(6.8±0.05)×1018cm-3。本发明通过数值模拟得到了量子阱HEMT器件沟道层下半部分的最佳选择性施主掺杂浓度，该浓度很好地优化了二维电子气的分布，进而根据优化后的结果设计并制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 hemt 器件 及其 制备 方法 二维 电子 分布 | ||
【主权项】：
一种量子阱HEMT器件，包括在AlN单晶衬底上依次形成的AlN下势垒层、GaN沟道层、AlN上势垒层和Al2O3栅介质层，在AlN上势垒层上形成源、漏电极，在Al2O3栅介质层上形成栅电极，所述GaN沟道层的下半部分采用Si离子进行选择性施主掺杂，而上半部分保持本征状态，其特征在于，所述GaN沟道层下半部分的选择性施主掺杂浓度控制在(6.8±0.05)×1018cm‑3。
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