[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具备包括互相相邻的二极管有源区域和边缘端接区域的半导体衬底（1）；二极管有源区域中的第一导电型的第一区域；第二导电型的第二区域（4）；边缘端接区域中的第一导电型的第三区域；和第二导电型的第四区域（5）。第一区域和第三区域共有第一导电型的漂移区域（10），第一区域和第三区域共有第一导电型的第五区域（2）。第三区域的漂移区域（10）中的每单位体积的晶体缺陷的数量，多于第一区域的漂移区域（10）中的每单位体积的晶体缺陷的数量，以使第三区域中的漂移区域（10）的载流子寿命短于第一区域中的漂移区域（10）的载流子寿命。

主权项

一种半导体装置，其中包括：半导体衬底，具有互相对置的第一主表面及第二主表面，且具有互相相邻的二极管有源区域和边缘端接区域；第一导电型的第一区域，在所述二极管有源区域中形成在所述半导体衬底内；第二导电型的第二区域，形成在所述半导体衬底的所述第一主表面，以在所述二极管有源区域中与所述第一区域一起构成二极管；第一导电型的第三区域，在所述边缘端接区域中形成在所述半导体衬底内；以及第二导电型的第四区域，在所述边缘端接区域中形成在所述半导体衬底的所述第一主表面，所述第一区域和所述第三区域共有与所述第四区域构成pn结的第一导电型的漂移区域，所述第一区域具有第一导电型杂质的浓度高于所述漂移区域的第五区域，而且具有第二导电型的第一逆导电型区域，在所述二极管有源区域的所述第二主表面中以与所述第五区域相邻的方式形成，和第二导电型的第二逆导电型区域，形成在所述边缘端接区域的所述第二主表面，所述第一区域和所述第三区域共有第一导电型的第六区域，该第一导电型的第六区域的第一导电型杂质的浓度低于所述第五区域，且高于所述漂移区域，所述第六区域在所述二极管有源区域中位于所述第五区域及所述第一逆导电型区域与所述漂移区域之间，且在所述边缘端接区域中位于所述第二逆导电型区域与所述漂移区域之间，在所述二极管有源区域，所述第五区域与所述第一逆导电型区域在平面图中以相邻的方式交互排列，通过与所述第五区域交互排列的所述第一逆导电型区域的一部分延伸至所述边缘端接区域，从而配置所述第二逆导电型区域。