[发明专利]单晶氮化镓基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201310646740.8 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855264A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朴起延;金华睦;徐大雄;孙暎丸 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种单晶氮化镓基板及其制造方法。根据本发明的单晶氮化镓基板的特征在于包括：基板；缓冲层，包含形成于所述基板上的氮化物半导体；多个防裂孔，贯通所述缓冲层而延伸至所述基板；单晶氮化物半导体，形成于所述缓冲层上。因此，根据本发明的实施例，外延生长异质基板具备以均一的形状和均一的大小以及布置间距形成的防裂孔，从而可以缩小与单晶层的接触面积，因此能够防止裂开和防止弯曲，所以具有能够实现单晶氮化镓基板的大面积化（大口径化）的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶氮化镓基板，其特征在于，包括：基板；缓冲层，包含形成于所述基板上的氮化物半导体；多个防裂孔，贯通所述缓冲层而延伸至所述基板；单晶氮化物半导体，形成于所述缓冲层上。
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