[发明专利]一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计

摘要

本发明公开了一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计，包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器；所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4，三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n型浮栅MOS管m2构成；所述主触发器2由构成差分结构的PMOS管m7和PMOS管m8，三输入n型浮栅MOS管m5和三输入n型浮栅MOS管m6构成；所述从触发器由构成差分结构的PMOS管m9和PMOS管m10，三输入n型浮栅MOS管m11，三输入n型浮栅MOS管m12，三输入n型浮栅MOS管m13和三输入n型浮栅MOS管m14，反相器INV1和反相器INV2构成。本发明的有益效果是：具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点，简化了下拉网络结构，从而进一步减小了电路的功耗。

主权项

1.一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器设计，其特征在于：包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器；所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4，三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n型浮栅MOS管m2构成；所述主触发器2由构成差分结构的PMOS管m7和PMOS管m8，三输入n型浮栅MOS管m5和三输入n型浮栅MOS管m6构成；所述从触发器由构成差分结构的PMOS管m9和PMOS管m10，三输入n型浮栅MOS管m11，三输入n型浮栅MOS管m12，三输入n型浮栅MOS管m13和三输入n型浮栅MOS管m14，反相器INV1和反相器INV2构成；所述PMOS管m3、m4、m7、m8、m9和m10的源级接工作电压VDD，所述三输入n型浮栅MOS管m1、m2、m5、m6的源级和一个输入端都接地，所述三输入n型浮栅MOS管m11、m12、m13、m14的源级接地；所述主触发器1中构成差分结构的两个PMOS管m3和m4的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2的漏极连接，并且产生主触发器1的输出和x1；所述主触发器2中构成差分结构的两个PMOS管m7和m8的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6的漏极连接，并且产生主触发器2的输出和x2；所述主触发器1的输出x1和分别连接从触发器中的三输入n型浮栅MOS管m11和m14的一个输入端，所述主触发器2的输出x2和分别连接从触发器中的三输入n型浮栅MOS管m12和m13的一个输入端；所述从触发器中构成差分结构的两个PMOS管m9和m10的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m11和m12、m13和m14的漏极连接，并通过两个反相器INV1和INV2连接到输出端；在clk上升沿时，所述主触发器1的输出x1和通过m11和m14传输到输出，所述主触发器2的输出x2和受输入D决定；在clk下降沿时，所述主触发器2的输出x2和通过m12和m13传输到输出，所述主触发器1的输出x1和受输入D决定。S和R分别实现触发器的异步置位和异步清零功能。