[发明专利]一种多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法有效
| 申请号： | 201310649657.6 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103603049A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘南柳;陈蛟;粱智文;童玉珍;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人： | 杨正坤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种能批量生产氮化物单晶体材料的液相外延的多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法，其通过设计包括一种搅拌装置的反应釜，该搅拌装置以一定速度旋转而不断吸取溶液，然后在惯性力作用下，溶液加速到一定程度之后水平远离它的旋转中心，形成流动循环，提高溶液的N溶解速度与溶解均匀性，有利于多片晶体生长的一致性及生长速度的提高。同时，通过设计一个用于调节N溶解浓度的预生长室，调控晶体生长的N浓度条件，然后，通过生长室溶液与预生长溶液的循环，使生长室内溶液的N浓度保持一致，从而为高质量多片式氮化物晶体生长提供源源不断的过饱和溶液，充分利用了原材料，提高晶体质量又降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多片式 氮化物 单晶体 材料 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多片式氮化物单晶体材料生长装置，其特征在于：为单腔室多片式氮化物单晶体材料生长装置，包括单腔室反应室（3）和搅拌装置，所述搅拌装置置于该单腔室反应室（3）中，所述单腔室反应室（3）中还包括原材料生长溶液（2）、从液面通入到单腔室反应室（3）中的氮气（4）和用于氮化物单晶体材料生长的衬底。
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