[发明专利]一种在线实时检测外延片温度的装置有效
申请号: | 201310651770.8 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN104701200A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 李成敏;严冬;王林梓;刘健鹏;叶龙茂 | 申请(专利权)人: | 北京智朗芯光科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01K11/00 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 100191 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置,属于半导体检测技术领域。该装置包括黑体辐射值运算模块和温度运算模块,该装置通过引入镀膜窗口的反射率衰减因子和热辐射衰减因子,可以准确测量得到外延片的温度T。该装置能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检测值准确度。 | ||
搜索关键词: | 一种 在线 实时 检测 外延 温度 装置 | ||
【主权项】:
一种在线实时检测外延片温度的装置,其特征在于:黑体辐射值运算模块和温度运算模块;所述黑体辐射值运算模块根据得到Pb(λ,T),其中,Pb(λ,T),黑体辐射值,L(λ,T),外延片的热辐射强度,R,外延片的反射率,ΔTT,反应腔窗口镀膜引起的热辐射衰减因子,ΔTR,反应腔窗口镀膜引起的反射率衰减因子,ε(R/ΔTR),外延片的热发射率,R,外延片的反射率,ΔTR,反应腔窗口镀膜引起的反射率衰减因子;所述温度运算模块根据得到所述外延片的温度T,其中,Pb(λ,T),理想黑体辐射值,h,普朗克常数,k,玻尔兹曼常数,c,光速,λ,波长,T,温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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