[发明专利]一种氮化镓系发光器件

摘要

本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN LQB/AlGaN EBL结构(界面存在正的净极化电荷)，或极化匹配GaN LQB/AIInGaN EBL结构(界面净极化电荷为零)，能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果，从而提高LED发光效率，并减少大注入电流下的发光效率衰减。

主权项

一种氮化镓系发光器件，包括：一衬底(10)；一成核层(11)；其制作在衬底(10)上；一缓冲层(12)，其制作在成核层(11)上；一n型III族氮化物层(13)，其制作在缓冲层(12)上，该n型III族氮化物层(13)上面的一侧有一台面(131)，该台面(131)的厚度小于n型III族氮化物层(13)的厚度；一多量子阱有源区(14)，其制作在远离台面(131)一侧的n型III族氮化物层(13)上，该多量子阱有源区(14)为发光区；一最后一个量子垒层(15)，其制作在多量子阱有源区(14)上；一类电子阻挡层(16)，其制作在最后一个量子垒层(15)上；该类电子阻挡层(16)为带隙宽度小于所述最后一个量子垒层(15)的结构；一p型III族氮化物层(17)，其制作在类电子阻挡层(16)上；一n型金属电极(18)，其淀积在n型III族氮化物层(13)一侧的台面(131)上；一p型金属电极(19)，其淀积在p型III族氮化物层(17)上；其中，所述最后一个量子垒层(15)和类电子阻挡层(16)之间的界面上存在负的净极化电荷。