[发明专利]一种荧光灯用汞合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201310652257.0 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103617942A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 何志明 | 申请（专利权）人： | 何志明 |
| 主分类号： | H01J61/72 | 分类号： | H01J61/72;H01J61/28;C22C7/00;C22C13/00;C22C30/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528000 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种荧光灯用汞合金，包括内核、汞合金层和包膜层，所述内核的材料为不与汞生成化合物且熔点超过200℃的基底材料；所述汞合金层或/和所述包膜层含有锡、汞、镓、银中的一种或几种；其中，所述锡的质量含量为除内核外总质量的40-55%，所述汞的质量含量为除内核外总质量的38-58%，所述镓的质量含量为除内核外总质量的0.5-8%，所述银的质量含量为除内核外总质量的0.5-4%。相应的，本发明还公开了一种荧光灯用汞合金的制备方法。采用本发明，既能满足荧光灯长期存放后光通上升特性好、颗粒大、且表面不溢汞粘连的荧光灯用汞合金。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 荧光灯 汞合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种荧光灯用汞合金，包括内核、汞合金层和包膜层，其特征在于，所述内核的材料为不与汞生成化合物且熔点超过200℃的基底材料；所述汞合金层或/和所述包膜层含有锡、汞、镓、银中的一种或几种；其中，所述锡的质量含量为除内核外总质量的40‑55%，所述汞的质量含量为除内核外总质量的38‑58%，所述镓的质量含量为除内核外总质量的0.5‑8%，所述银的质量含量为除内核外总质量的0.5‑4%。
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