[发明专利]具有带有变形保护尖端的穿衬底通孔的裸片及制作所述裸片的方法无效
申请号: | 201310652432.6 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN103855112A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 杰弗里·艾伦·韦斯特;拉杰什·蒂瓦里;玛格丽特·西蒙斯-马修斯 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种具有带有变形保护尖端的穿衬底通孔的裸片及制作所述裸片的方法。穿衬底通孔TSV裸片(300)包含衬底(205),所述衬底(205)具有顶侧半导体表面(207)及底侧表面(210),所述顶侧半导体表面(207)在其中具有包含功能上连接的多个晶体管的有源电路(209)。多个TSV(216)从所述顶侧半导体表面延伸到从所述底侧表面突出的TSV尖端(217),且包含由形成所述TSV的外边缘的电介质衬里(221)环绕的导电填充物材料的内金属芯(220)。无机电介质材料的尖端变形保护层(231a)横向于所述TSV尖端而在所述底侧表面上。所述无机电介质材料的弹性模数大于(>)所述导电填充物材料的弹性模数。包含聚合物的第二电介质层(231b)在所述尖端变形保护层上。 | ||
搜索关键词: | 具有 带有 变形 保护 尖端 衬底 制作 述裸片 方法 | ||
【主权项】:
一种穿衬底通孔TSV裸片,其包括:衬底,其具有顶侧半导体表面及底侧表面,所述顶侧半导体表面在其中具有包含功能上连接的多个晶体管的有源电路;多个TSV,其从所述顶侧半导体表面延伸到从所述底侧表面突出的TSV尖端,且包括内金属芯,所述内金属芯包括由形成所述多个TSV的外边缘的电介质衬里环绕的导电填充物材料;包括无机电介质材料的尖端变形保护层,其横向于所述TSV尖端而在所述底侧表面上,其中所述无机电介质材料的弹性模数大于(>)所述导电填充物材料的弹性模数,及包括聚合物的第二电介质层,其在所述尖端变形保护层上。
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