[发明专利]一种耐强酸的光掩膜及其制作方法有效
申请号: | 201310654685.7 | 申请日: | 2013-12-04 |
公开(公告)号: | CN103616795B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 徐根;陈社诚;周志刚 | 申请(专利权)人: | 湖南普照信息材料有限公司;湖南电子信息产业集团有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68 |
代理公司: | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人: | 黄子平 |
地址: | 410205 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种耐强酸的光掩膜及其制作方法。该耐强酸的光掩膜包括玻璃基板和设置在玻璃基板上的铬膜层,其中铬膜层包括朝向远离玻璃基板方向依次设置的铬碳氮化物遮光膜层和铬氮氧化物减反射膜层。该制作方法包括获取玻璃基板,在玻璃基板上形成铬膜层,其中形成铬膜层的步骤包括在玻璃基板上形成铬碳氮化物遮光膜层;在铬碳氮化物遮光膜层上形成铬氮氧化物减反射膜层。本发明的具有双层结构铬膜层的光掩膜具有良好的耐强酸腐蚀性,因此可以采用强酸对本发明提供的光掩膜进行清洗,以使其保持洁净的状态,进而保证存储信息的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 强酸 光掩膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种耐强酸的光掩膜,包括玻璃基板(10)和设置在所述玻璃基板(10)上的铬膜层(20),其特征在于,所述铬膜层(20)包括朝向远离所述玻璃基板(10)方向依次设置的铬碳氮化物遮光膜层(21)和铬氮氧化物减反射膜层(23);所述铬碳氮化物遮光膜层(21)中氮的质量百分比含量为30~40%、碳的质量百分比含量为2%~5%;所述铬氮氧化物减反射膜层(23)中氮的质量百分比含量为15~18%、氧的质量百分比含量为20~25%。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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