[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310654701.2 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701365A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 冯喆韻;王刚宁;刘丽;唐凌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供具有第一类型掺杂的基底；在基底中形成环形沟槽；在所述环形沟槽中填充满环形填充层，至少覆盖所述环形沟槽侧壁的环形填充层部分为绝缘层；在所述环形填充层下的基底中形成具有第二类型掺杂的掩埋层，所述第一类型掺杂和第二类型掺杂相反；定义所述环形填充层之间的基底部分为第一阱区，在所述第一阱区形成晶体管。使用本技术方案，在平行于基底上表面方向上，晶体管和基底中的其他器件之间具有相对较好的隔离效果，晶体管和掩埋层下的基底在垂直于基底上表面方向上相互隔离，防止晶体管出现漏电现象，确保晶体管性能较佳。另外，使用本技术方案，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一类型掺杂的基底；在所述基底中形成环形沟槽；在所述环形沟槽中填充满环形填充层，至少覆盖所述环形沟槽侧壁的环形填充层部分为绝缘层；在所述环形填充层下的基底中形成具有第二类型掺杂的掩埋层，所述第一类型掺杂和第二类型掺杂相反；定义所述环形填充层之间的基底部分为第一阱区，在所述第一阱区形成晶体管。
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